形成半导体器件的方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及形成半导体器件的方法。本发明提供一种能够通过自对准工艺得到具有大约5至10V快速返回耐压的器件的半导体装置。该半导体装置包括以预定间隔靠近主栅极布置的两个或更多个辅栅极，以及从所述源/漏层端部到靠近主栅极端部连续布置的低浓度层，低浓度层具有与源/漏层相同的电位型，并且具有比源/漏层的杂质浓度低的杂质浓度。
基本信息
专利标题 ：
形成半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101414563A
申请号 ：
CN200810161947.5
公开（公告）日 ：
2009-04-22
申请日 ：
2005-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
永井隆行
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
关兆辉
优先权 ：
CN200810161947.5
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2014-11-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101588949897
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2008101619475
申请日 : 20050928
授权公告日 : 20110413
终止日期 : 20130928
号牌文件序号 : 101588949897
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2008101619475
申请日 : 20050928
授权公告日 : 20110413
终止日期 : 20130928
2011-04-13 ：
授权
2009-06-17 ：
实质审查的生效
2009-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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