半导体器件和形成半导体器件的方法
实质审查的生效
摘要
公开了一种半导体器件包括衬底；位于衬底上方的互连结构；位于互连结构上方的第一钝化层；设置在第一钝化层上方并且电耦合至互连结构的导电部件的第一导电焊盘、第二导电焊盘和导线；位于第一导电焊盘、第二导电焊盘和导线的上表面和侧壁上方，并且沿着第一导电焊盘、第二导电焊盘和导线的上表面和侧壁延伸的共形的第二钝化层；分别位于第一导电焊盘和第二导电焊盘上方的第一导电凸块和第二导电凸块，其中，第一导电凸块和第二导电凸块延伸穿过共形的第二钝化层并且分别电耦合至第一导电焊盘和第二导电焊盘；以及位于导线上方的伪凸块，其中，伪凸块通过共形的第二钝化层与导线间隔开。本发明的实施例还涉及另一种半导体器件以及以及形成半导体器件的方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和形成半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464596A
申请号 ：
CN202110923202.3
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-08-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨挺立蔡柏豪吴逸文杨胜斌刘浩君
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202110923202.3
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/528
申请日 : 20210812
申请日 : 20210812
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
