半导体器件及其形成方法
授权
摘要
公开了封装的半导体器件及其形成方法，封装的半导体器件包括设置在电源模块和包含集成电路的封装件之间的包含集成无源器件的封装组件。在实施例中，一种器件包括：第一封装组件，包括第一集成电路管芯；第一密封剂，至少部分地围绕第一集成电路管芯；以及再分布结构，位于第一密封剂上并且耦合至第一集成电路管芯；第二封装组件，接合到第一封装组件，第二封装组件包括集成无源器件；以及第二密封剂，至少部分地围绕集成无源器件；以及电源模块，通过第二封装组件附接到第一封装组件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111384043A
申请号 ：
CN201911358692.6
公开（公告）日 ：
2020-07-07
申请日 ：
2019-12-25
授权号 ：
CN111384043B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
赖季晖郑淑蓉潘国龙郭庭豪蔡豪益刘重希余振华
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201911358692.6
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L23/485 H01L23/528 H01L21/56 H01L21/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-07-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/16
申请日 : 20191225
申请日 : 20191225
2020-07-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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