半导体器件及其形成方法
公开
摘要
本发明公开了一种半导体器件及其形成方法，该方法包含：提供一衬底，该衬底上设置有介电质层，其包含至少一开口，开口内充满有机涂层，部分所述介电质层上具有图形层；通入沉积气体和稀释气体，在所述的介电质层和所述的有机涂层的表面、以及所述的图形层的侧壁和顶部表面形成保护层，其中，所述图形层侧壁和顶部表面保护层、介电质层表面保护层的厚度均大于所述有机涂层表面保护层的厚度。本发明在小孔刻蚀前，通过通入沉积气体、稀释气体，在介电质层表面、图形层的侧壁和顶部表面沉积一层聚合物保护层，开口顶部的有机涂层上沉积很少几乎没有，由于保护层的阻挡，可以兼顾增加小孔刻蚀能力并降低介电质层、图形层的薄膜损伤。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582722A
申请号 ：
CN202011294526.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵军苏兴才涂乐志
申请人 ：
中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
代理机构 ：
上海元好知识产权代理有限公司
代理人 ：
贾慧琴
优先权 ：
CN202011294526.7
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L21/027
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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