用于在半导体器件中形成接触孔的方法
专利权的视为放弃
摘要
一种在半导体器件中形成接触孔的方法，包括：制备包括底结构的基板；形成绝缘层，使得所述绝缘层覆盖所述底结构；在所述绝缘层上形成富硅氧氮化物层；在所述富硅氧氮化物层上形成光阻剂图案；使用所述光阻剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述富硅氧氮化物层，从而获得硬掩模；以及使用所述光阻剂图案和所述硬掩模作为蚀刻掩模来蚀刻所述绝缘层，以便形成暴露所述底结构的部分的接触孔。
基本信息
专利标题 ：
用于在半导体器件中形成接触孔的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1885502A
申请号 ：
CN200510097524.8
公开（公告）日 ：
2006-12-27
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄昌渊李东德崔益寿李洪求
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨红梅
优先权 ：
CN200510097524.8
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2009-08-26 ：
专利权的视为放弃
2007-02-14 ：
实质审查的生效
2006-12-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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