形成半导体器件接触塞的方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
采用选择性CVD钨形成通路接触塞的方法中，通过在３５０～４００℃进行Ｈ2还原工艺，在通路接触孔的下部淀积上第一层钨；随后，再在２５０～３００℃下，进行SiH4还原工艺，在第一层钨上淀积上第二层钨，经过第一和第二层钨来填充通路接触孔，于是形成了接触塞。因此，防止了钨的选择性衰减，从而实现可靠的半导体器件。
基本信息
专利标题 ：
形成半导体器件接触塞的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1091552A
申请号 ：
CN93119872.0
公开（公告）日 ：
1994-08-31
申请日 ：
1993-12-17
授权号 ：
CN1042473C
授权日 ：
1999-03-10
发明人 ：
裴大录朴宣厚高光万
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN93119872.0
主分类号 ：
H01L21/285
IPC分类号 ：
H01L21/285 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
H01L21/285
气体或蒸气的沉积，例如冷凝
法律状态
2010-02-17 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
1999-03-10 ：
授权
1996-04-10 ：
实质审查请求的生效
1994-08-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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