在半导体器件中形成接触插塞的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种形成半导体器件的接触插塞的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成源极/漏极结单元设在一表面；在包括源极/漏极结单元的半导体衬底的整个表面上形成具有顶面且包括接触孔的层间绝缘膜；在接触孔中形成具有一顶面的接触插塞；利用蚀刻工艺选择性地蚀刻层间绝缘膜，使得接触插塞的顶面成为高于层间绝缘膜的顶面；以及在包括接触插塞的层间绝缘膜上形成金属层。其中，在层间绝缘膜中形成接触插塞之后，选择性地蚀刻层间绝缘膜，使得接触插塞的顶面高于层间绝缘膜的顶面。这样就有可能防止在随后于层间绝缘膜中形成金属层时产生空隙。
基本信息
专利标题 ：
在半导体器件中形成接触插塞的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1873945A
申请号 ：
CN200510136239.2
公开（公告）日 ：
2006-12-06
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴信胜
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510136239.2
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2009-11-04 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-01-31 ：
实质审查的生效
2006-12-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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