半导体器件及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件包括：基底；导电层，位于所述基底内；氧化层，位于所述基底的部分表面上；高阻层，位于所述氧化层上；介质层，位于所述基底以及所述高阻层上；第一通孔，位于所述介质层内，底部暴露出所述导电层的顶部表面；第二通孔，位于所述介质层内，底部暴露出所述氧化层的顶部表面；连接层，位于所述第一通孔内；粘附层，位于所述介质层的表面上、所述连接层的表面上以及所述第二通孔的侧壁和底部上；金属层，位于所述粘附层上且填充满所述第二通孔；保证了形成的半导体器件具有较高的质量。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334874A
申请号 ：
CN202011056478.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张田田张浩荆学珍段超郭雯
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴敏
优先权 ：
CN202011056478.8
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/48
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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