半导体器件及其形成方法
公开
摘要
本发明实施例提供一种半导体器件及其形成方法。在实施例中，一种用于制造半导体器件的方法包括：在载体衬底上形成重布线结构；利用第一各向异性导电膜将多个芯体衬底实体连接及电连接到重布线结构，第一各向异性导电膜包含介电材料及多个导电颗粒；以及将所述多个芯体衬底与重布线结构按压在一起，以利用第一各向异性导电膜中的多个导电颗粒在所述多个芯体衬底与重布线结构之间形成多个导电路径。所述方法还包括利用包封体包封所述多个芯体衬底。所述方法还包括将集成电路封装贴合到重布线结构，重布线结构位于集成电路封装与所述多个芯体衬底之间，集成电路封装在侧向上与所述多个芯体衬底中的第一芯体衬底及第二芯体衬底交叠。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628259A
申请号 ：
CN202110608087.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-06-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴俊毅余振华刘重希
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾伯兴
优先权 ：
CN202110608087.0
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/48 H01L23/488 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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