半导体器件及形成方法
授权
摘要
本发明提出了一种半导体器件，包括：半导体衬底层，所述半导体衬底层上的氧化硅层，在所述半导体衬底层和所述氧化硅层之间的锗材料层，在所述锗材料层上的粘合层，以及在所述粘合层上的通孔金属层。本发明能够避免锗材料层遭到H2O2的破坏，从而提高了半导体器件的性能和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110211944A
申请号 ：
CN201810166065.1
公开（公告）日 ：
2019-09-06
申请日 ：
2018-02-28
授权号 ：
CN110211944B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
桂珞朱继光高剑琴
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
上海德禾翰通律师事务所
代理人 ：
侯莉
优先权 ：
CN201810166065.1
主分类号 ：
H01L23/532
IPC分类号 ：
H01L23/532 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/532
按材料特点进行区分的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-10-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/532
申请日 : 20180228
申请日 : 20180228
2019-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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