本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括提供基底，所述基底上具有介质层，所述介质层内具有通孔，所述通孔的底部暴露出所述基底内的导电层的顶部表面；采用溅射刻蚀工艺刻蚀暴露出的所述导电层的顶部表面，在所述导电层内形成凹形槽；在所述凹形槽的侧壁和底部以及所述通孔的侧壁上形成牺牲层；形成所述牺牲层后，去除所述牺牲层；一方面利用溅射刻蚀工艺刻蚀凹形槽，保证凹形槽的刻蚀形状；另外一方面，形成牺牲层，牺牲层作为缓冲层，在去除牺牲层的过程中，会带走部分导电层的同时会氧化牺牲层底部的部分导电层，这种缺失和氧化可以很好的控制，保证通孔底部一致的接触电阻，便于使得最终形成的半导体器件的性能得到提高。