半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成介质层，所述介质层内具有通孔，所述通孔底部暴露出所述衬底；在所述通孔侧壁和底部形成阻挡层、位于所述阻挡层表面的成核衬垫层，以及位于所述成核衬垫层上的籽晶层，所述成核衬垫层的晶粒具有第一粒径，所述籽晶层的晶粒具有第二粒径，所述第一粒径小于所述第二粒径；在所述籽晶层表面形成填充满所述通孔内的导电层。所述成核衬垫层提高了籽晶层的均匀性，成核均匀性的增加利于提高导电层的质量，有利于减少空隙等不良缺陷产生的概率。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551399A
申请号 ：
CN202210148137.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邢中豪梁金娥
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202210148137.6
主分类号 ：
H01L23/532
IPC分类号 ：
H01L23/532 H01L21/768 H01L23/528
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/532
按材料特点进行区分的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/532
申请日 : 20220217
申请日 : 20220217
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
