半导体结构及半导体结构的形成方法

实质审查的生效

摘要

一种半导体结构及形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的栅极结构和第一介质层，第一介质层位于栅极结构顶部和侧壁；位于第一介质层内的第一开口，第一开口包括第一区和位于第一区上的第二区，第一区在衬底上具有第一投影，第二区在衬底上具有第二投影，第一投影的面积小于第二投影的面积，且第一投影在第二投影的范围内，第一开口暴露出衬底表面；位于第二区侧壁的阻挡层，阻挡层的材料与第一介质层的材料不同；位于第一开口内的第一导电结构，阻挡层位于第一导电结构侧壁；位于第一介质层内的第二导电结构，第二导电结构位于栅极结构上，阻挡层位于第一导电结构和第二导电结构之间。所述半导体结构的性能得到提升。

基本信息

专利标题：

半导体结构及半导体结构的形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114496981A

申请号：

CN202011158878.X

公开（公告）日：

2022-05-13

申请日：

2020-10-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

于海龙荆学珍张浩郑春生

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

徐文欣

优先权：

CN202011158878.X

主分类号：

H01L23/528

IPC分类号：

H01L23/528 H01L21/768

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/522

包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的

H01L23/528

互连结构的布置

法律状态

2022-05-31 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 23/528
申请日 : 20201026

2022-05-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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