本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，包括：提供基底，基底包括中心区和位于中心区第一方向边缘的相对两外侧的虚置区，中心区包括成型区以及位于成型区第二方向边缘的相对两外侧的裁剪区；在基底上形成多个间隔设置的芯柱；在基底上形成环绕且覆盖芯柱侧壁的初始掩膜层；去除位于裁剪区的初始掩膜层，以形成位于成型区的若干间隔设置的掩膜侧墙条，且保留位于虚置区的初始掩膜层作为环状侧墙；去除位于中心区以及虚置区的芯柱；以掩膜侧墙条为掩膜刻蚀基底，形成多个功能结构，且以环状侧墙为掩膜刻蚀基底，形成位于多个功能结构两侧的伪功能结构。本发明实施例有利于提高伪功能结构的稳定性。