半导体结构及半导体结构的形成方法

实质审查的生效

摘要

一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成介质层和位于介质层内的导电层，所述导电层的顶部表面低于所述介质层的顶部表面，所导电层上具有位于介质层内的凹槽；在所述凹槽的底部表面和侧壁表面形成初始保护层，所述凹槽侧壁表面的初始保护层的厚度小于所述凹槽底部表面的初始保护层的厚度；对所述凹槽侧壁表面的初始保护层和所述凹槽底部表面的部分初始保护层进行改性处理，在凹槽底部表面形成保护层，并在凹槽侧壁表面和凹槽底部的保护层表面形成改性层；去除所述改性层，直至暴露出所述凹槽侧壁的介质层。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。

基本信息

专利标题：

半导体结构及半导体结构的形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114429943A

申请号：

CN202011187100.1

公开（公告）日：

2022-05-03

申请日：

2020-10-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

于海龙荆学珍张浩雒建明张田田韩静利孙天杨

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

徐文欣

优先权：

CN202011187100.1

主分类号：

H01L23/528

IPC分类号：

H01L23/528 H01L21/768

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/522

包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的

H01L23/528

互连结构的布置

法律状态

2022-05-20 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 23/528
申请日 : 20201029

2022-05-03 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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