半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供包括阵列区和外围区的衬底，阵列区上形成有元件介质层；在阵列区和外围区同时形成第一绝缘介质层，蚀刻阵列区内的第一绝缘介质层和元件介质层，以形成多个沟槽；对沟槽进行填充，形成参考隔离结构；对参考隔离结构和第一绝缘介质层进行回蚀刻处理，形成隔离结构；在阵列区和外围区形成第二绝缘介质层；图案化第二绝缘介质层，以暴露出阵列区的第一绝缘介质层；去除阵列区内的第一绝缘介质层，以形成接触窗；去除第二绝缘介质层，并在接触窗中形成接触材料。本公开的半导体结构的形成方法可防止结构缺陷的产生，提高产品良率。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496927A
申请号 ：
CN202011155898.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李昇陈洋
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN202011155898.1
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20201026
申请日 : 20201026
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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