半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在衬底上形成绝缘层；蚀刻部分位于第二区域的绝缘层，第一区域上的绝缘层构成第一绝缘层，第二区域上剩余的绝缘层构成第二绝缘层，第二绝缘层背离衬底一侧的表面低于第一绝缘层背离衬底一侧的表面；形成覆盖第一绝缘层第一阻挡层和覆盖第二绝缘层的第二阻挡层，第二阻挡层的厚度大于第一阻挡层的厚度；蚀刻第一阻挡层、部分第二阻挡层和第一绝缘层，以在第一绝缘层内形成通孔，并在第二阻挡层中形成孔段；去除第一阻挡层和第二阻挡层。本公开的形成方法可防止在衬底边缘区域形成缺陷，提高半导体结构的良率。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446884A
申请号 ：
CN202011201365.2
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙金萍赵亮王文峰
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN202011201365.2
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20201102
申请日 : 20201102
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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