半导体结构的形成方法以及半导体结构
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法以及半导体结构，其中，半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括相邻排列的接触区和虚拟区，基底上形成有分立排布的第一位线结构和第一介质层，第一位线结构与第一介质层围成分立的电容接触开口；形成填充电容接触开口的第一牺牲层；在虚拟区中，去除部分高度的第一位线结构、部分高度的第一介质层和部分高度的第一牺牲层，形成位于第二位线结构、第二介质层和第二牺牲层顶部的第一开口；形成填充第一开口的绝缘层在接触区中，去除第一牺牲层，形成第二开口；形成位于第二开口中的电容接触结构，本发明实施例避免了随着关键尺寸的微缩，电容接触垫的导线短路问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的形成方法以及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420641A
申请号 ：
CN202011173598.6
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈龙阳武宏发吴公一
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN202011173598.6
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20201028
申请日 : 20201028
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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