半导体结构及半导体结构的形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的栅极结构、源漏掺杂区和第一介质层，所述源漏掺杂区位于栅极结构两侧的衬底内，所述第一介质层位于栅极结构顶部和侧壁；位于第一介质层内的导电结构，所述导电结构位于源漏掺杂区上；位于导电结构和第一介质层之间的凹槽；位于第一介质层上和导电结构上的第二介质层，所述第二介质层封闭所述凹槽成为密封腔。所述半导体结构的性能得到提升。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496906A
申请号 ：
CN202011255542.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈卓凡
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202011255542.5
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20201111
申请日 : 20201111
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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