半导体结构及半导体结构的形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构在沿沟道长度方向上的宽度大于所述第二栅极结构在沿沟道长度方向上的宽度；位于第二栅极结构上的第一阻挡层；位于第一栅极结构上的第二阻挡层；位于衬底上的介质层，所述介质层位于第一栅极结构侧壁、第二栅极结构侧壁、第一阻挡层侧壁以及第二阻挡层侧壁。所述半导体结构的性能得到提升。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497035A
申请号 ：
CN202011255519.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨振辉刘中元徐广州李钊
申请人 ：
中芯南方集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号3号楼5楼
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202011255519.6
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/088
申请日 : 20201111
申请日 : 20201111
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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