本发明提供一种鳍结构的形成方法、FinFET器件及其形成方法，该鳍结构的形成方法包括：提供一衬底，衬底上具有鳍片，鳍片为上窄下宽结构，鳍片具有竖直部及倾斜部，竖直部的顶面具有掩模层；执行离子注入工艺以改变至少部分倾斜部的材质；执行蚀刻工艺以去除被离子注入的倾斜部，蚀刻工艺中被离子注入的倾斜部的蚀刻速率大于竖直部的蚀刻速率。本发明中，通过对鳍片的倾斜部执行离子注入工艺，以使离子注入的倾斜部的材质发生改变，使其材质不同于未离子注入的鳍片，并据此在蚀刻工艺中利用两者的刻蚀选择性去除离子注入的倾斜部，以使鳍片的侧壁更为垂直，从而解决由鳍结构上窄下宽形貌所导致的栅极与源漏之间漏电的问题。