形成阈值开关器件的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及一种形成呈现负微分电阻特性的阈值开关器件的方法，以及用该方法形成的器件。该方法包括：将从硅倍半噁烷树脂获得的二氧化硅膜淀积在至少两个电极之间，并在电极之间施加一个高于阈值电压的电压。
基本信息
专利标题 ：
形成阈值开关器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1067765A
申请号 ：
CN92103131.9
公开（公告）日 ：
1993-01-06
申请日 ：
1992-04-30
授权号 ：
CN1029652C
授权日 ：
1995-08-30
发明人 ：
凯瑟·威托恩·米歇尔尤多·C·湃尔尼兹
申请人 ：
埃克森化学专利公司
申请人地址 ：
美国米执安
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
姜华
优先权 ：
CN92103131.9
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L21/314
相关图片
法律状态
2007-06-27 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-06-12 ：
其他有关事项
1995-08-30 ：
授权
1994-05-25 ：
实质审查请求的生效
1993-01-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1029652C.PDF
PDF下载
2、
CN1067765A.PDF
PDF下载
