肖特基器件及形成方法
专利权的终止
摘要
一种肖特基器件(5)，具有多个基本单元，每个基本单元具有肖特基接触部分(13)，其被终止结构(22)围绕，在反相偏压条件期间，该终止结构导致相对于该器件的表面，在垂直和水平方向上形成耗尽区。
基本信息
专利标题 ：
肖特基器件及形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101523554A
申请号 ：
CN200680013750.6
公开（公告）日 ：
2009-09-02
申请日 ：
2006-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
维什努·K·凯姆卡维贾·帕塔萨拉蒂祝荣华阿米塔瓦·鲍斯
申请人 ：
飞思卡尔半导体公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
黄启行
优先权 ：
CN200680013750.6
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/28 H01L21/44 H01L21/33 H01L21/338
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2021-02-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/00
申请日 : 20060308
授权公告日 : 20110608
终止日期 : 20200308
申请日 : 20060308
授权公告日 : 20110608
终止日期 : 20200308
2011-06-08 ：
授权
2009-10-28 ：
实质审查的生效
2009-09-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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