肖特基势垒器件
授权
摘要
本申请涉及半导体技术领域，公开了一种肖特基势垒器件。肖特基势垒器件包括半导体基板，向内部延伸的多个栅极沟槽和每相邻两个栅极沟槽之间有源区上的有源区沟槽，每一栅极沟槽内壁上形成有栅极绝缘层；位于栅极沟槽内的第一金属插塞，位于有源区沟槽的第二金属插塞，且第一金属插塞和第二金属插塞在半导体基板第一表面上电连接；覆盖有源区和有源区沟槽内壁的肖特基势垒层；以及电极层。该肖特基势垒器件通过一道工艺步骤即可同时在有源区半导体基板表面、栅极沟槽和有源区沟槽内沉积势垒金属层，从而在沟槽内构建金属插塞，同时有源区沟槽的设置增加了电流密度，兼顾了器件性能和制备工艺。
基本信息
专利标题 ：
肖特基势垒器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123085616.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
CN216435912U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
梁维佳李静怡周源
申请人 ：
北京燕东微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516
代理机构 ：
北京科慧致远知识产权代理有限公司
代理人 ：
王乾旭
优先权 ：
CN202123085616.8
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/423 H01L21/329
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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