在量子阱器件中的磷势垒和高磷多磷化合物势垒
被视为撤回的申请
摘要
磷和多磷化合物MPX和许多常用的二族、三族和四族半导体材料相比，有更大的能带间隙，且与半导体材料之间具有良好的界面特性。其中M是一种碱金属，X的范围由15至无穷大，P为磷。磷和这些多磷化合物的薄层常用作量子阱器件中的势垒，特别是那些采用由磷元素构成半导体薄层的量子阱器件中。磷是优先选用的一种势垒层，它可以是单斜晶磷、红磷或是具有层状、折皱片状局部排列顺序的非晶态磷。量子阱器件和异质结器件已被开发，用于场效应器件中。
基本信息
专利标题 ：
在量子阱器件中的磷势垒和高磷多磷化合物势垒
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85104043A
申请号 ：
CN85104043
公开（公告）日 ：
1986-11-26
申请日 ：
1985-05-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
迪戈丁·奥莱戈
申请人 ：
斯托弗化学公司
申请人地址 ：
美国纽约10522多布斯费里
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
陈景峻
优先权 ：
CN85104043
主分类号 ：
H01L29/02
IPC分类号 ：
H01L29/02
法律状态
1989-03-08 ：
被视为撤回的申请
1986-11-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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