基于超晶格势垒量子阱结构的LED
授权
摘要
本实用新型提供一种基于超晶格势垒量子阱结构的LED，属于半导体技术领域。包括：蓝宝石衬底；设于蓝宝石衬底上面的GaN形核层；设于GaN形核层上面的未掺杂的GaN层；设于未掺杂的GaN层上面的n型GaN层；设于n型GaN层上面的量子阱区，量子阱区从下至上包括8～15周期的第一区域和3～10周期的第二区域，第一区域包括从下至上设的3～10周期的超晶格AlxInyGa1‑x‑yN/GaN势垒层和InGaN势阱层，第二区域包括3～10周期的AlxInyGa1‑x‑yN/GaN势垒层；设于第二区域上面的p型AlGaN电子阻挡层；设于p型AlGaN电子阻挡层上面的p型GaN层；设于p型GaN层上面的电极接触层。本实用新型实施例提高了电子和空穴的注入效率和增加对电子的束缚能力，减少了电子泄漏，使电子和空穴的辐射复合效率增加。
基本信息
专利标题 ：
基于超晶格势垒量子阱结构的LED
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920401418.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-27
授权号 ：
CN209461482U
授权日 ：
2019-10-01
发明人 ：
董海亮贾志刚关永莉梁建米洪龙许并社陈永寿陕志芳
申请人 ：
山西飞虹微纳米光电科技有限公司;太原理工大学
申请人地址 ：
山西省临汾市洪洞县甘亭工业园区飞虹微纳米光电科技有限公司
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920401418.1
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32 H01L33/00 B82Y40/00
法律状态
2019-10-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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