本申请提供了一种结势垒肖特基二极管结构，包括：设置于阴极背面金属层上的N型碳化硅衬底层；位于所述N型碳化硅衬底层上的N型碳化硅外延层；内嵌在所述N型碳化硅外延层上表面的多个P型扩散区域；覆盖在所述N型碳化硅外延层上且避开所述P型扩散区域设置的N型硅区域；覆盖在所述N型硅区域和所述P型扩散区域上的金属阳极接触层。本申请在N型碳化硅外延层的上表面沉积了薄层的N型硅区域，N型硅区域与金属阳极接触层之间形成硅肖特基结构，可有效降低肖特基势垒，使得载流子越迁能量降低，进而使得JBS的正向开启电压VF大幅度降低，以此降低了系统的开通损耗。