一种具有终端结构的氧化镓基结势垒肖特基二极管
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摘要
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有终端结构的氧化镓基结势垒肖特基二极管。本发明针对氧化镓材料P型掺杂困难且器件边缘电场集中的问题，提出一种兼具肖特基结、异质PN结以及含有变掺杂分布氟离子的钝化层终端的二极管。正向导通时，低势垒的肖特基结使器件具有低正向导通压降；反向阻断时，异质PN结屏蔽高电场，变掺杂分布的氟离子终端结构缓解电场集中效应，从而减小反向泄漏电流并增大击穿电压。本发明在钝化介质层中而不是氧化镓材料中注入氟离子，减少氧化镓材料晶格损伤对正向导通特性的影响。本发明的有益效果为，本发明的器件兼具正向压降小、泄漏电流小和反向击穿电压高的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种具有终端结构的氧化镓基结势垒肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113066870A
申请号 ：
CN202110317471.5
公开（公告）日 ：
2021-07-02
申请日 ：
2021-03-25
授权号 ：
CN113066870B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
罗小蓉魏雨夕鲁娟杨可萌魏杰蒋卓林王元刚吕元杰冯志红
申请人 ：
电子科技大学;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙一峰
优先权 ：
CN202110317471.5
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/267 H01L29/06
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-07-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/872
申请日 : 20210325
申请日 : 20210325
2021-07-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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