一种结势垒肖特基结构的二极管
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摘要
一种结势垒肖特基结构二极管的结构，具体包括：第一导电类型的衬底；在衬底上表面设有第一导电类型的外延层，以及衬底与外延层之间设有第一导电类型的缓冲层；设置于外延层上表面的肖特基接触电极；衬底下表面设有欧姆接触电极，衬底与欧姆接触电极之间设有第二隔离介质层；设置于外延层上表面两侧的第二导电类型阱区；在肖特基接触电极下表面两侧设有与第二导电类型阱区相对应并且等宽的第一隔离介质层；本实用新型将肖特基二极管和PiN结构结合在一起，通过PN结势垒排除隧穿电流对最高阻断电压的限制，使得结势垒肖特基(JBS)结构相比于肖特基(SBD)器件，在反向模式下，可以在不牺牲正向导通压降的基础上，具有更低的反向漏电流，和更高的阻断电压。
基本信息
专利标题 ：
一种结势垒肖特基结构的二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922355717.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-25
授权号 ：
CN211629119U
授权日 ：
2020-10-02
发明人 ：
郑柳
申请人 ：
重庆伟特森电子科技有限公司
申请人地址 ：
重庆市北碚区云汉大道117号附237号
代理机构 ：
重庆中流知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭桂林
优先权 ：
CN201922355717.9
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/868 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2020-10-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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