一种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法

实质审查的生效

摘要

本发明公开一种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法，包括由下至上依次设置的衬底(1)、缓冲层(2)、n⁺‑GaN外延层(3a)、n^‑‑GaN外延层(3b)，n^‑‑GaN外延层(3b)上表面为肖特基电极设置区域(13b)，n⁺‑GaN外延层(3a)上表面局部露出部分为欧姆电极设置区域(13a)；第一绝缘保护层(6a)覆盖在欧姆电极设置区域(13a)上和肖特基电极设置区域(13b)上，且还覆盖在n⁺‑GaN外延层(3a)与n^‑‑GaN外延层(3b)形成的台阶侧壁面上，第一绝缘保护层(6a)在欧姆电极设置区域(13a)上形成的窗口中设置有欧姆电极(4)，第一绝缘保护层(6a)在肖特基电极设置区域(13b)上形成的窗口中设置有肖特基电极(5)。本发明肖特基势垒二极管增加正向电流，提高反向击穿电压。

基本信息

专利标题：

一种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114335195A

申请号：

CN202111675137.3

公开（公告）日：

2022-04-12

申请日：

2021-12-31

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

邵春林闫怀宝闫发旺

申请人：

江西誉鸿锦材料科技有限公司

申请人地址：

江西省抚州市高新技术产业开发区科纵四路以东、纬四路以南、科技大道以西、纬五路以北（半导体科技园7号楼）

代理机构：

北京市领专知识产权代理有限公司

代理人：

任永利

优先权：

CN202111675137.3

主分类号：

H01L29/872

IPC分类号：

H01L29/872 H01L29/06 H01L29/20 H01L29/40 H01L29/47 H01L21/329

法律状态

2022-04-29 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/872
申请日 : 20211231

2022-04-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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