一种垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制作方法
公开
摘要
本发明公开一种垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制作方法，其包括n‑‑GaN层(1)，n‑‑GaN层(1)上表面设置有绝缘保护层(3)和肖特基势垒电极(5)，n‑‑GaN层(1)下表面由上至下依次设置有n+‑GaN层(2)、欧姆电极(4)；绝缘保护层(3)设置在n‑‑GaN层(1)上表面局部，肖特基势垒电极(5)设置在n‑‑GaN层(1)上表面未设有绝缘保护层(3)的区域，肖特基势垒电极(5)边缘覆盖在绝缘保护层(3)上构成场板结构。本发明使用GaN材料制成垂直结构的肖特基势垒二极管，GaN材料具有宽的带隙、高的击穿电场强度、高的电子迁移率和高的电子饱和速度等特点，解决了肖特基势垒二极管大电流，高的反向电压等问题，实现二极管的大电流、高耐压、小型化。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300545A
申请号 ：
CN202111493320.1
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邵春林闫怀宝闫发旺
申请人 ：
江西誉鸿锦材料科技有限公司
申请人地址 ：
江西省抚州市高新技术产业开发区科纵四路以东、纬四路以南、科技大道以西、纬五路以北（半导体科技园7号楼）
代理机构 ：
北京市领专知识产权代理有限公司
代理人 ：
任永利
优先权 ：
CN202111493320.1
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/20 H01L29/40 H01L21/329
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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