一种垂直型GaN基凹槽结势垒肖特基二极管
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摘要
本实用新型属于半导体功率电子器件技术领域，更具体地，涉及一种垂直型GaN基凹槽结势垒肖特基二极管。器件结构由下往上依次包括：覆盖衬底的欧姆接触电极‑二极管阴极；GaN自支撑衬底；n型低载流子浓度区域‑器件漂移区，包括第一漂移区和位于器件第一漂移区之上的器件第二漂移区；与器件第二漂移区交错排列的p型GaN区域；与器件第二漂移区形成肖特基接触的电极‑二极管阳极。本实用新型通过外延的方法形成p型GaN区域，获得高载流子浓度的p型GaN；通过对p‑GaN刻蚀后再选区外延生长器件漂移区的方法，形成GaN基凹槽型JBS，获得了高的p‑GaN深度，因此反向偏压下增强了pn结对肖特基结的屏蔽效果，减小了器件反向漏电，提高了器件击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直型GaN基凹槽结势垒肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922302278.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-18
授权号 ：
CN211017091U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
刘扬王亚朋
申请人 ：
中山大学
申请人地址 ：
广东省广州市海珠区新港西路135号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
王晓玲
优先权 ：
CN201922302278.5
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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