一种碳化硅结势垒肖特基二极管
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摘要
本实用新型提出了一种具有低正向导通电压、高反向击穿电压的碳化硅（SiC）结势垒肖特基二极管。所述碳化硅结势垒肖特基二极管包括碳化硅衬底，衬底上具有不同导电类型的碳化硅外延层。另外在上端表面还制作有有源区和注入区，碳化硅衬底底部背面覆盖有欧姆接触电极，有源区和注入区表面设有肖特基接触电极，在所述的肖特基电极边缘设有钝化层，在钝化层下制作有结终端。本实用新型与传统器件相比，在JBS器件中的漂移区中增加有源区注入，能够有效分散反向击穿时的电场分布，增加反向耐压，在不牺牲器件正向导通特性的前提下，使器件达到更高的击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅结势垒肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921266363.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-07
授权号 ：
CN210349845U
授权日 ：
2020-04-17
发明人 ：
吴昊张梓豪陈欣璐黄兴
申请人 ：
派恩杰半导体（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区浦沿街道六和路368号一幢（北）四楼B4051室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921266363.4
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/16 H01L29/06
法律状态
2020-04-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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