一种适用于高温环境的碳化硅结势垒肖特基二极管
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种适用于高温环境的碳化硅结势垒肖特基二极管，属于半导体器件技术领域。本发明的器件在传统JBS器件结构基础上采用了新型的P+区注入版图结构，增加了肖特基接触区域面积和肖特基结电流的同时，通过P+注入区条形图形增加了耗尽区面积，降低了碳化硅结势垒肖特基二极管在高温时的电流衰退和功率损耗增加，也防止了二极管肖特基区域增加后反向击穿电压的降低，解决了JBS器件在大电流高温下工作环境下正向工作电流衰退严重、功率损耗明显增加的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于高温环境的碳化硅结势垒肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284343A
申请号 ：
CN202111593228.2
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张有润罗茂久吴登昊孟繁新陆超张波
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
敖欢
优先权 ：
CN202111593228.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/872
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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