一种肖特基势垒MOS晶体管及其制作方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明提供了一种新结构的肖特基势垒MOS晶体管，其特征在于所述MOS晶体管的源区和漏区分别由两层金属或金属与半导体形成的化合物材料构成。该双层源漏肖特基势垒MOS晶体管的制作方法和传统的肖特基势垒MOS晶体管的制作工艺相兼容，只是在工艺过程中增加了一步低能离子注入，器件的性能却得到了极大的提高。本发明的肖特基势垒MOS晶体管由于其源漏具有双层结构，可以获得两种肖特基势垒高度，既可提高器件的开态电流又可减小关态电流，且在半导体薄膜很厚的情况下器件的性能并不会产生大的退化。

基本信息

专利标题：

一种肖特基势垒MOS晶体管及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1794469A

申请号：

CN200510130001.9

公开（公告）日：

2006-06-28

申请日：

2005-12-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李定宇孙雷张盛东刘晓彦韩汝琦

申请人：

北京大学

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所

代理人：

余功勋

优先权：

CN200510130001.9

主分类号：

H01L29/812

IPC分类号：

H01L29/812 H01L21/338

法律状态

2011-03-09 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101072682001
IPC(主分类) : H01L 29/812
专利号 : ZL2005101300019
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京大学
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100871 北京市海淀区颐和园路5号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 北京大学
登记生效日 : 20110120

2008-05-21 ：

授权

2006-08-23 ：

实质审查的生效

2006-06-28 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载