一种SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管
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摘要
本发明公开了一种SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管，其结构包括源、漏电极，栅电极，氧化层以及中间沟道散射区域。其中，源、漏电极采用二维金属相二硫化钼（MoS2）材料；栅极采用双栅结构，分为顶栅和背栅；顶栅和背栅与衬底沟道之间均包含一个氧化层。本发明采用二维SiC材料作为衬底，二维MoS2材料作为源、漏电极，与衬底材料形成肖特基势垒接触；双栅结构增强栅极对沟道的控制能力，有效解决沟道长度缩小至10nm以下时，短沟道效应和量子效应引起的器件性能缺陷。当沟道长度小于5.1nm时，器件关态电流小于0.1µA/µm，实现正常关断；开态电流不小于940µA/µm，满足国际半导体技术路线图（ITRS）的高性能要求。
基本信息
专利标题 ：
一种SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022397823.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
CN214279984U
授权日 ：
2021-09-24
发明人 ：
谢海情蔡稀雅范志强刘刚崔凯月
申请人 ：
长沙理工大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市天心区万家丽南路2段960号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022397823.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/47
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法律状态
2021-09-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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