基于薄势垒材料的太赫兹场效应探测器及其设计方法
授权
摘要
本发明公开了一种基于薄势垒材料的太赫兹场效应探测器及其设计方法。所述太赫兹场效应探测器包括：用于提供二维电子气沟道的沟道层和势垒层；以及，源极、漏极、栅极和太赫兹天线；其特征在于，所述设计方法包括：至少依据栅极到二维电子气沟道之间的距离与天线因子成反比、与场效应因子成反比的关系确定栅极到二维电子气沟道之间的距离。本发明实施例提供的一种基于薄势垒材料的太赫兹场效应探测器，通过减小栅极到二维电子气沟道之间的距离，可对探测器的响应度得到平方倍地提高。
基本信息
专利标题 ：
基于薄势垒材料的太赫兹场效应探测器及其设计方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112531071A
申请号 ：
CN202011513673.9
公开（公告）日 ：
2021-03-19
申请日 ：
2020-12-18
授权号 ：
CN112531071B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
秦华朱一帆孙建东
申请人 ：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202011513673.9
主分类号 ：
H01L31/112
IPC分类号 ：
H01L31/112 H01L31/18
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-04-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/112
申请日 : 20201218
申请日 : 20201218
2021-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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