一种GaAs和AlGaAs异质结太赫兹探测器
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摘要
本专利公开了一种GaAs和AlGaAs异质结太赫兹探测器，其结构特点自下而上分别是GaAs衬底、GaAs缓冲层、Al0.3Ga0.7As势垒层、掺杂硅的Al0.3Ga0.7As势垒层和掺杂硅的GaAs势垒层，源极和漏极都位于GaAs缓冲层上并且位于各势垒层两端，与Al0.3Ga0.7As势垒层与GaAs缓冲层之间的二维电子气沟道形成欧姆接触，栅极位于掺杂硅的GaAs势垒层上方并与掺杂硅的GaAs势垒层形成肖特基接触。其主要原理是GaAs和AlGaAs形成的二维电子气具有非常高的电子迁移率，并可与THz波产生等离子共振，增强了THz波的吸收，提高了THz波的光电转换效率。同时，可通过栅电压来调控太赫兹的吸收和光电转化，实现高稳定，高灵敏，高速的室温太赫兹探测和成像。
基本信息
专利标题 ：
一种GaAs和AlGaAs异质结太赫兹探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021257428.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-01
授权号 ：
CN212542458U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
王林朱久泰郭万龙陈效双陆卫
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址 ：
上海市虹口区玉田路500号
代理机构 ：
上海沪慧律师事务所
代理人 ：
郭英
优先权 ：
CN202021257428.1
主分类号 ：
H01L31/109
IPC分类号 ：
H01L31/109 H01L31/0216 H01L31/18
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法律状态
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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