一种室温高频太赫兹波探测器

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摘要

本实用新型涉及一种室温高频太赫兹波探测器，属于太赫兹波探测研究技术领域。包括高载流子迁移率二维材料、场效应晶体管和太赫兹天线，场效应晶体管具有源电极、栅电极和漏电极，源电极、栅电极和漏电极集成于带有介质层的衬底上，太赫兹天线与场效应晶体管的三个电极相连；高载流子迁移率二维材料上下表面分别包覆二维层状介电材料，与漏电极连接的和与源电极连接的太赫兹天线端与高载流子迁移率二维材料欧姆接触，与栅电极连接的太赫兹天线端通过二维层状介电材料与高载流子迁移率二维材料为肖特基接触。本申请有效耦合高频太赫兹波，避免高载流子迁移率二维材料制备时引起的载流子迁移率降低的问题，实现对高频太赫兹波有效探测。

基本信息

专利标题：

一种室温高频太赫兹波探测器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922206834.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-10

授权号：

CN211205521U

授权日：

2020-08-07

发明人：

张凯董卓沈文沈寒松

申请人：

江苏盖姆纳米材料科技有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市江阴市临港新城区镇澄路3433号

代理机构：

江阴市轻舟专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

孙燕波

优先权：

CN201922206834.9

主分类号：

G01J1/42

IPC分类号：

G01J1/42 G01J1/02