一种可调控的室温黑砷磷太赫兹探测器

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摘要

本专利公开了一种可调控的室温黑砷磷太赫兹探测器。器件结构自下而上依次为：第一层是衬底、第二层是黑砷磷以及搭在黑砷磷上的蝶形天线和与天线相连的金属电极、第三层是介质层，第四层是栅极。器件制备步骤是用机械剥离的方法将黑砷磷转移到衬底上，用电子束曝光和电子束沉积技术制备蝶形天线和金属电极，用原子层沉积工艺生长栅介质层，用电子束曝光和电子束沉积技术制备栅极，形成太赫兹探测器。其工作原理是，通过非对称的高效太赫兹天线实现高度局域和增强的太赫兹混频电场，生成响应信号。该探测器具有高速、宽频和高灵敏等特点，可实现源漏偏压和栅电压的双重调控，为实现室温太赫兹探测器大规模应用提供了原型器件。

基本信息

专利标题：

一种可调控的室温黑砷磷太赫兹探测器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921986769.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-18

授权号：

CN210866219U

授权日：

2020-06-26

发明人：

王林郭万龙郭程陈效双陆卫

申请人：

中国科学院上海技术物理研究所

申请人地址：

上海市虹口区玉田路500号

代理机构：

上海沪慧律师事务所

代理人：

郭英

优先权：

CN201921986769.X

主分类号：

H01L31/112

IPC分类号：

H01L31/112 H01L31/18