本专利公开了一种室温超短沟道硒化铂太赫兹探测器。器件结构自下而上依次为：第一层是衬底、第二层是氧化层、第三层是硒化铂以及搭在硒化铂上的非对称的蝶形天线和天线两侧的金属电极。器件制备步骤是将机械剥离的硒化铂转移到氧化层上，用紫外光刻方法和倾角蒸镀工艺制备非对称的蝶形天线和金属电极，形成硒化铂太赫兹探测器。太赫兹光照射时，赛贝克电动势驱动硒化铂内载流子定向运动，实现室温快速的太赫兹的探测。该探测器具有高速、宽频、高响应、高稳定性等优点，可以在室温下对树叶进行无电离损伤成像，也可以对封装在纸袋中的金属钥匙透射成像，为实现室温太赫兹探测器广泛应用奠定基础。