一种可调控的室温石墨烯太赫兹探测器
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摘要
本专利公开了一种可调控的室温石墨烯太赫兹探测器。器件结构自下而上依次为：第一层是衬底、第二层是石墨烯以及搭在石墨烯上的平面开口环天线和与天线相连的金属电极、第三层是介质层，第四层是栅极。器件制备步骤是采用湿法转移技术将石墨烯转移到衬底上，制备平面开口环天线和金属电极，用氧离子刻蚀对石墨烯图形化作为沟道材料，用原子层沉积工艺生长栅介质层，制备栅极，形成太赫兹探测器。其工作原理是，石墨烯内载流子的浓度和速度受到太赫兹电场的调控，发生分布式电阻自混频，产生直流响应信号。该探测器具有高速、宽频和高响应率等特点，可实现源漏偏压和栅压的双重调控，为实现室温太赫兹探测器大规模应用奠定基础。
基本信息
专利标题 ：
一种可调控的室温石墨烯太赫兹探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921070826.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-10
授权号 ：
CN210092112U
授权日 ：
2020-02-18
发明人 ：
王林郭万龙郭程陈效双陆卫
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址 ：
上海市虹口区玉田路500号
代理机构 ：
上海沪慧律师事务所
代理人 ：
郭英
优先权 ：
CN201921070826.X
主分类号 ：
H01L31/113
IPC分类号 ：
H01L31/113 H01L31/028 H01L31/0232 H01L31/18 G01R29/08
法律状态
2020-02-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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