一种基于超短沟道石墨烯的光电探测器
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摘要
本实用新型属于半导体光电子器件领域，具体涉及一种基于超短沟道石墨烯的光电探测器，该光电探测器结构为：绝缘衬底、金属电极、石墨烯导电沟道和半导体吸光层。实用新型提出的基于超短沟道石墨烯的光电探测器，利用聚焦氦离子束加工亚10纳米石墨烯导电沟道，可提高石墨烯载流子迁移率，实现超短的渡越时间；同时，石墨烯/半导体复合结构有效地提升载流子分离效率，增大载流子的寿命。通过充分发挥石墨烯高迁移率和复合结构有效分离载流子的优势，实现高增益的光电探测器。本实用新型提供的光电探测器具有轻薄、增益高、响应度大、工艺重复性佳、易集成等优点，可应用于微弱光探测，是一种极具实用性的光电探测器结构。
基本信息
专利标题 ：
一种基于超短沟道石墨烯的光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020060794.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-13
授权号 ：
CN211480068U
授权日 ：
2020-09-11
发明人 ：
冷重钱申钧聂长斌张之胜杨俊汤林龙冯双龙魏兴战史浩飞
申请人 ：
中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请人地址 ：
重庆市北碚区方正大道266号
代理机构 ：
北京元本知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
熊传亚
优先权 ：
CN202020060794.1
主分类号 ：
H01L31/101
IPC分类号 ：
H01L31/101 H01L31/0336 H01L31/18
法律状态
2020-09-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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