复合沟道IGBT器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种复合沟道IGBT器件，它包括集电极金属、P型集电极区、N型缓冲区、N型外延层、载流子存储层与P型体区；在栅极沟槽的侧壁与底面、P型体区的上表面设有栅极氧化层，在栅极多晶硅上开设有呈间隔设置的块状窗口，在块状窗口内以及栅极多晶硅的上表面设置绝缘介质层，在对应块状窗口位置的绝缘介质层上开设有接触孔，在接触孔的底面设有重掺杂P区，在重掺杂P区的上方以及绝缘介质层的上表面设有发射极金属，发射极金属通过接触柱与重掺杂N型发射区欧姆接触。本实用新型有效地抑制了短沟道效应，提高器件的短路能力，有效地抑制寄生三极管开启，且制造工艺保留了部分绝缘栅双极型晶体管结构的制造工艺，具有良好的兼容性。
基本信息
专利标题 ：
复合沟道IGBT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020571498.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-17
授权号 ：
CN211629117U
授权日 ：
2020-10-02
发明人 ：
朱袁正周锦程杨卓叶鹏童鑫徐浩刘倩
申请人 ：
无锡新洁能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN202020571498.8
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L21/331 H01L29/10 H01L29/06
法律状态
2020-10-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
