复合沟道型MOSFET器件
授权
摘要
本实用新型公开一种复合沟道型MOSFET器件，包括：重掺杂N型漏极层和位于硅片中上部的N型掺杂外延层N型掺杂外延层的中央区域具有一往上延伸的凸起部，N型掺杂外延层上部且位于中央区域两侧分别具有P型左基区和P型右基区，凸起部的上部具有一P型上基区，所述P型左基区和P型右基区各自上部分别具有重掺杂N型左源极区和重掺杂N型右源极区；一左栅极区、右栅极区分别位于凸起部的两侧，左栅极区位于重掺杂N型左源极区与中央区域之间的P型左基区区域上方，右栅极区位于重掺杂N型右源极区与中央区域之间的P型右基区区域上方。本发明在同等反向电压的施加下，降低了最高电场强度，使空间电荷层中的电场强度得到有效缓解，具有更优的耐压特性。
基本信息
专利标题 ：
复合沟道型MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123234165.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
CN216698376U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
陈译陆佳顺杨洁雯
申请人 ：
苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW01幢506室
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
马明渡
优先权 ：
CN202123234165.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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