双沟道型MOSFET半导体器件
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种双沟道型MOSFET半导体器件，包括：位于硅片下部的重掺杂N型漏极层和位于硅片中上部的N型掺杂外延层，此N型掺杂外延层的中央区域具有一往上延伸的凸起部，一左栅极区、右栅极区分别位于凸起部的两侧，所述左栅极区位于重掺杂N型左源极区与中央区域之间的P型左基区区域上方，所述右栅极区位于重掺杂N型右源极区与中央区域之间的P型右基区区域上方，所述左栅极区的右侧、下部与P型上基区、P型左基区之间通过一第一绝缘层电隔离，所述右栅极区的左侧、下部与P型上基区、P型右基区之间通过一第二绝缘层电隔离。本发明既在单位面积内有效地增加了电流通道的密度，使器件的导通电阻得到有效降低，也具有更优的耐压特性。
基本信息
专利标题 ：
双沟道型MOSFET半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388619A
申请号 ：
CN202111570818.3
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈译陆佳顺杨洁雯
申请人 ：
苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW01幢506室
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
马明渡
优先权 ：
CN202111570818.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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