竖直型半导体器件
授权
摘要
公开了一种竖直型半导体器件。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；依次叠置在衬底上的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层；以及绕沟道层的外周形成的栅堆叠。沟道层包括第一半导体材料层和绕第一半导体材料层外周形成的第二半导体材料层。分别在第一源/漏层和第二源/漏层中形成的源/漏区在第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层的叠置方向上至少部分地与第一半导体材料层、第二半导体材料层相交迭，使得沟道区能够形成在第一半导体材料层和第二半导体材料层二者中。
基本信息
专利标题 ：
竖直型半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921514929.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-11
授权号 ：
CN210516733U
授权日 ：
2020-05-12
发明人 ：
朱慧珑
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
倪斌
优先权 ：
CN201921514929.0
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/08 H01L29/78
法律状态
2020-05-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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