半导体器件

专利权的终止

摘要

本发明的目的是提供一种半导体器件，该半导体器件在制造过程以外时也可以写入数据，并且可以防止因改写的伪造。此外，本发明的目的是以廉价提供由简单结构的有机存储器来构成的半导体器件。通过构成将晶体管并联连接或串联连接到具有有机化合物层的有机元件的存储单元，并串联连接或并联连接该存储单元，而构成NAND型或NOR型存储器。所述有机元件可以通过施加电流或电压、照射光等来不可逆性地改变其电气特性。

基本信息

专利标题：

半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1797605A

申请号：

CN200510118815.0

公开（公告）日：

2006-07-05

申请日：

2005-10-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

小山润安部宽子汤川干央岩城裕司山崎舜平

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

梁永

优先权：

CN200510118815.0

主分类号：

G11C11/40

IPC分类号：

G11C11/40 G11C16/06 G11C17/08 H01L27/28 H01L27/105 G06K19/07 G06K19/10

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C11/08

应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板

G11C11/21

应用电元件的

G11C11/34

应用半导体器件的

G11C11/40

应用晶体管的

法律状态

2018-10-23 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G11C 11/40
申请日 : 20051029
授权公告日 : 20111109
终止日期 : 20171029

2011-11-09 ：

授权

2007-12-19 ：

实质审查的生效

2006-07-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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