用于动态存储电路的读出的方法和电路
专利权的视为放弃
摘要
说明了一种用于从动态存储电路中读出数据的方法，其中，至少一个存储单元(M)经字线(WL)和位线(B)是可寻址的，其中，存储单元(M)经位线(BL)与第一读出放大器(SAM)连接，并且其中，装设开关元件(MUX)，该开关元件(MUX)在断开状态下将第一读出放大器(SAM)与位线(BL)分离，该方法具有以下的方法步骤：a)闭合开关元件(MUX)，以便将第一读出放大器(SAM)与位线(BL)连接；b)激活字线(WL)，以便激活用于读出的存储单元(M)；c)激活第一读出放大器(SAM)，以便开始评估位线(BL)的信息；d)断开开关元件(MUX)，以便将第一读出放大器(SAM)与位线(BL)分离，e)将所读出的信息递交到数据总线(DAT)上。
基本信息
专利标题 ：
用于动态存储电路的读出的方法和电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815627A
申请号 ：
CN200510128945.2
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2005-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
B·克勒恩H·费希尔E·布拉斯R·克莱因T·舒曼
申请人 ：
因芬尼昂技术股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
吴立明
优先权 ：
CN200510128945.2
主分类号 ：
G11C11/4091
IPC分类号 ：
G11C11/4091 G11C7/06
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/4063
辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
用于场效应型存储单元的
G11C11/409
读写电路
G11C11/4091
读出或读出/刷新放大器，或相关的读出电路，例如用于耦合位线预充电、均衡或隔离的
法律状态
2013-01-16 ：
专利权的视为放弃
号牌文件类型代码 : 1606
号牌文件序号 : 101379934647
IPC(主分类) : G11C 11/4091
专利申请号 : 2005101289452
放弃生效日 : 20060809
号牌文件序号 : 101379934647
IPC(主分类) : G11C 11/4091
专利申请号 : 2005101289452
放弃生效日 : 20060809
2006-10-04 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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