读出电路结构
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种读出电路结构，包括：第一N型有源区以及设置在第一N型有源区上的第一栅极；第二N型有源区以及设置在第二N型有源区上的第二栅极；第一P型有源区以及设置在第一P型有源区上的第三栅极；第二P型有源区以及设置在第二P型有源区上的第四栅极；第一有源区以及设置在第一有源区上的第一隔离栅极，第一隔离栅极用于形成第一隔离管；第二有源区以及设置在第二有源区上的第二隔离栅极，第二隔离栅极用于形成第二隔离管，第一隔离管一端连接第一读出位线，另一端连接初始位线，第二隔离管一端连接第一互补读出位线，另一端连接初始互补位线，本申请能够有效降低数据读出时长。
基本信息
专利标题 ：
读出电路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388015A
申请号 ：
CN202210036563.0
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨桂芬
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭凤杰
优先权 ：
CN202210036563.0
主分类号 ：
G11C7/10
IPC分类号 ：
G11C7/10 G11C7/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/10
输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 7/10
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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